本發(fā)明屬于多晶硅生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種多晶硅生產(chǎn)中還原尾氣的回收方法，特別地，本發(fā)明還涉及一種多晶硅生產(chǎn)中還原尾氣的回收裝置。
背景技術(shù)：
多晶硅生產(chǎn)中，從還原爐輸出的還原尾氣主要包括h2、hcl氣體和氣相氯硅烷等，其中氣相氯硅烷包括sihcl3氣體、sicl4氣體和sih2cl2氣體的混合物，還原尾氣需要進(jìn)入尾氣回收系統(tǒng)進(jìn)行回收處理，以回收其中的氫氣、氯化氫、以及氯硅烷，目前，還原尾氣的回收工藝主要包括以下三種：濕法回收、干法回收和膜分離回收。
濕法尾氣回收工藝會造成物料損失較大，成本較高，膜分離尾氣回收工藝存在高壓及苛刻的分離膜使用條件等技術(shù)問題，而干法尾氣回收工藝實(shí)現(xiàn)簡單，還可將多晶硅尾氣全部回收利用，使整個(gè)多晶硅生產(chǎn)系統(tǒng)達(dá)到了閉路循環(huán)，不僅能降低原料和動力能源的消耗，還可以達(dá)到減少污染和保護(hù)環(huán)境的目的，因此，目前普遍采用干法尾氣回收工藝對還原尾氣進(jìn)行回收處理。但目前的干法回收工藝中普遍存在冷源利用不充分，能耗高，回收的氫氣純度不高等問題，因此，需要開發(fā)一種能夠充分回收利用冷源、降低能耗、提高回收氫氣純度的多晶硅生產(chǎn)中還原尾氣的回收方法。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明是基于發(fā)明人對以下事實(shí)和問題的發(fā)現(xiàn)和認(rèn)識做出的：干法尾氣回收工藝首先要對進(jìn)入的還原尾氣進(jìn)行冷卻，利用還原尾氣中各組分沸點(diǎn)的不同將還原尾氣中大部分的氯硅烷冷凝下來，從而使不凝氣(即氫氣、氯化氫和少量氯硅烷的混合氣)與液相氯硅烷分離開來。之后將不凝氣引入吸收塔，用來自解析塔的貧液氯硅烷吸收不凝氣中的氯化氫雜質(zhì)，從而完成氯化氫從還原尾氣中分離。從吸收塔塔頂輸出的含有少量氯化氫的氫氣再經(jīng)過吸附柱純化，得到純凈的氫氣，并從吸收塔塔釜輸出含有大量氯化氫的富液氯硅烷。富液氯硅烷進(jìn)入解析塔分離出輕組分，以形成貧液氯硅烷，再將貧液氯硅烷送入吸收塔以吸收不凝氣中的氯化氫雜質(zhì)，分離出來的氫氣、氯化氫及氯硅烷分別送往上、下游工序回收利用，從而實(shí)現(xiàn)還原尾氣從敞開式生產(chǎn)發(fā)展到閉式循環(huán)生產(chǎn)。
相關(guān)技術(shù)中，cnu公開了一種多晶硅生產(chǎn)尾氣中氯硅烷的回收系統(tǒng)，該專利中吸附塔采用盤管式的導(dǎo)熱油加熱模式，吸附工序復(fù)雜，能耗高。
cnb公開了多晶硅尾氣回收方法及裝置，該專利在還原尾氣前期處理中，只對多晶硅尾氣進(jìn)行冷凝處理，以將所述多晶硅尾氣中的氯硅烷冷凝成液態(tài)，冷源單一，沒有充分回收利用冷源。
cna公開了一種應(yīng)用于多晶硅還原尾氣回收系統(tǒng)的吸附裝置。該專利中采用單一的吸附劑進(jìn)行氫氣吸附除雜，除雜率低，無法去除硼和磷等雜質(zhì)，所得氫氣產(chǎn)品質(zhì)量較差。
cnb公開了多晶硅氫化尾氣回收系統(tǒng)及尾氣利用方法，該專利中公開了氯化氫的分離采用液態(tài)氯化氫的形式回收，能耗較高。
本發(fā)明旨在至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的技術(shù)問題之一。
為此，本發(fā)明**個(gè)方面的實(shí)施例提出一種多晶硅生產(chǎn)中還原尾氣的回收方法，該方法能夠?qū)淞繉?shí)現(xiàn)充分回收，顯著降低了投資運(yùn)行成本，分離回收后的氫氣品質(zhì)高，能夠滿足后續(xù)多晶硅生產(chǎn)的要求。
根據(jù)本發(fā)明**個(gè)方面實(shí)施例的一種多晶硅生產(chǎn)中還原尾氣的回收方法，其包括如下步驟：
a、將還原尾氣送入冷卻系統(tǒng)，分離得到尾氣和氯硅烷冷凝液；
b、將所述步驟a得到的尾氣和氯硅烷冷凝液送入淋洗裝置，使氯硅烷冷凝液對尾氣進(jìn)行淋洗；
c、將所述步驟b經(jīng)淋洗處理后的尾氣依次進(jìn)行壓縮和冷卻，得到高壓尾氣；
d、將所述步驟c得到的高壓尾氣送入吸收塔，采用氯硅烷為吸收液，吸收尾氣中的氯化氫，所述吸收塔底得到富含氯化氫的氯硅烷富液，塔頂?shù)玫礁缓瑲錃獾奈矚猓?/p>
e、將所述步驟d得到的富含氯化氫的氯硅烷富液送入解吸塔，所述解吸塔頂?shù)玫铰然瘹錃怏w，塔底得到氯硅烷貧液，將所述氯硅烷貧液與所述步驟d塔底的氯硅烷富液進(jìn)行熱交換后送入所述步驟d吸收塔中用作吸收液；
f、將所述步驟d得到的富含氫氣的尾氣送入氫氣吸附裝置，得到氫氣。
根據(jù)本發(fā)明**個(gè)方面實(shí)施例的具有的獨(dú)立權(quán)利要求帶來的優(yōu)點(diǎn)和技術(shù)效果，1、本發(fā)明實(shí)施例的回收方法中，在將還原尾氣進(jìn)行冷卻后增加了淋洗步驟，用冷卻分離得到的氯硅烷冷凝液對尾氣進(jìn)行淋洗，能夠?qū)⑽矚庵械募?xì)硅粉完全淋洗下來，避免了細(xì)硅粉隨尾氣帶入后續(xù)壓縮裝置和冷卻系統(tǒng)，對壓縮裝置和冷卻系統(tǒng)造成不利影響，提高了壓縮裝置和冷卻系統(tǒng)的使用壽命，氯硅烷冷凝液在淋洗下來尾氣中細(xì)硅粉的同時(shí)，還能夠吸收尾氣中的氯化氫氣體，實(shí)現(xiàn)吸收氯化氫的作用，而且，進(jìn)入淋洗裝置的氯硅烷為低溫氯硅烷，在對尾氣進(jìn)行淋洗后，離開淋洗裝置的氯硅烷經(jīng)過與尾氣的淋洗接觸實(shí)現(xiàn)了換熱，降低了尾氣溫度，氯硅烷自身溫度提升，充分回收了氯硅烷的冷量，本發(fā)明實(shí)施例中增設(shè)的淋洗裝置實(shí)現(xiàn)了除塵、吸收和冷量回收的多重作用；2、本發(fā)明實(shí)施例方法中，對淋洗后的尾氣進(jìn)行了壓縮加壓處理，提升了尾氣的壓力，使吸收塔在高壓下運(yùn)行，完成吸收，可以減少吸收劑的用量，降低對冷媒的需求，從而實(shí)現(xiàn)節(jié)能的目的，采用高壓吸收，可以節(jié)能20％以上；3、本發(fā)明實(shí)施例的方法能夠?qū)淞繉?shí)現(xiàn)充分回收，顯著降低了投資運(yùn)行成本，分離回收后的氫氣品質(zhì)高，能夠滿足后續(xù)多晶硅生產(chǎn)的要求。
根據(jù)本發(fā)明**個(gè)方面實(shí)施例的多晶硅生產(chǎn)中還原尾氣的回收方法，其中，所述步驟b中的淋洗裝置為鼓泡塔；和/或，所述步驟b中，將淋洗裝置中淋洗尾氣后的氯硅烷冷凝液送入所述步驟e解吸塔中回收氯化氫氣體。
根據(jù)本發(fā)明**個(gè)方面實(shí)施例的多晶硅生產(chǎn)中還原尾氣的回收方法，其中，所述步驟e中，所述解吸塔頂采出的氯化氫為氣體；和/或，所述步驟e中，在所述解吸塔上部設(shè)置中冷器，采用7℃水為冷媒。
根據(jù)本發(fā)明**個(gè)方面實(shí)施例的多晶硅生產(chǎn)中還原尾氣的回收方法，其中，所述步驟c中，將所述尾氣壓縮至壓力為1.1-1.5mpa(表)。
根據(jù)本發(fā)明**個(gè)方面實(shí)施例的多晶硅生產(chǎn)中還原尾氣的回收方法，其中，所述步驟c中，所述壓縮后的尾氣依次經(jīng)過一級雙效換熱器、壓縮后尾氣冷凍水冷器、二級雙效換熱器、壓縮后尾氣冷卻器、三級雙效換熱器、壓縮后尾氣深冷器后進(jìn)入所述步驟d中的吸收塔，其中，所述壓縮后尾氣冷凍水冷器中采用7℃水，所述壓縮后尾氣冷卻器中采用-30℃的r507，所述壓縮后尾氣深冷器中采用-55℃的r507。
根據(jù)本發(fā)明**個(gè)方面實(shí)施例的多晶硅生產(chǎn)中還原尾氣的回收方法，其中，所述步驟d中塔頂?shù)玫降母缓瑲錃獾奈矚?，依次?jīng)過所述三級雙效換熱器、所述二級雙效換熱器、所述一級雙效換熱器與所述步驟c壓縮后的尾氣進(jìn)行換熱，之后進(jìn)入所述步驟f中的氫氣吸附裝置。
根據(jù)本發(fā)明**個(gè)方面實(shí)施例的多晶硅生產(chǎn)中還原尾氣的回收方法，其中，所述步驟c中，將尾氣冷卻后產(chǎn)生的冷凝液與所述步驟a中得到氯硅烷冷凝液混合后，送入所述步驟b的淋洗裝置中。
根據(jù)本發(fā)明**個(gè)方面實(shí)施例的多晶硅生產(chǎn)中還原尾氣的回收方法，其中，所述步驟f中氫氣吸附裝置中包括**吸附塔、第二吸附塔和第三吸附塔，所述**吸附塔、第二吸附塔和第三吸附塔均為內(nèi)部設(shè)置氣體分布器的空筒結(jié)構(gòu)；所述**吸附塔中的吸附劑處于具備吸附能力的狀態(tài)，所述第二吸附塔中的吸附劑處于需要再生的狀態(tài)，所述第三吸附塔中的吸附劑處于需要脫附的狀態(tài)，所述富含氫氣的尾氣進(jìn)入所述**吸附塔進(jìn)行吸附，得到純化后的氫氣，將部分純化后的氫氣依次送入所述第二吸附塔和所述第三吸附塔，之后進(jìn)行壓縮、冷卻、除硼和除磷處理后，與所述**吸附塔得到的純化后的氫氣混合，得到氫氣產(chǎn)品；和/或，所述吸附裝置中采用的吸附劑為包括分子篩和活性炭的組合吸附劑。
本發(fā)明第二個(gè)方面的實(shí)施例還提供了一種多晶硅生產(chǎn)中還原尾氣的回收裝置，其包括**冷卻系統(tǒng)、淋洗裝置、**壓縮裝置、第二冷卻系統(tǒng)、吸收塔、解吸塔、貧富液換熱系統(tǒng)和氫氣吸附裝置，所述淋洗裝置為鼓泡塔，其中，
所述**冷卻系統(tǒng)的氣體出口與所述淋洗裝置的氣體入口連接，所述**冷卻系統(tǒng)的冷凝液出口與所述淋洗裝置的液體入口連接；
所述淋洗裝置的氣體出口與所述**壓縮裝置的氣體進(jìn)口連接，所述淋洗裝置的液體出口與所述解吸塔的液體進(jìn)口連接；
所述第二冷卻系統(tǒng)的氣體進(jìn)口與所述**壓縮裝置的氣體出口連接，所述第二冷卻系統(tǒng)的氣體出口與所述吸收塔的氣體進(jìn)口連接；
所述吸收塔的氣體出口與所述氫氣吸附裝置的氣體進(jìn)口連接，所述吸收塔的液體進(jìn)口與所述貧富液換熱系統(tǒng)的貧液出口連接，所述吸收塔的液體出口與所述貧富液換熱系統(tǒng)的富液進(jìn)口連接；
所述貧富液換熱系統(tǒng)的富液出口與所述解吸塔的液體進(jìn)口連接，所述貧富液換熱系統(tǒng)的貧液進(jìn)口與所述解吸塔的液體出口連接。
根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)方面實(shí)施例的具有的獨(dú)立權(quán)利要求帶來的優(yōu)點(diǎn)和技術(shù)效果，1、本發(fā)明實(shí)施例的回收裝置，在**冷卻系統(tǒng)后增設(shè)了淋洗裝置，用冷卻分離得到的氯硅烷冷凝液對尾氣進(jìn)行淋洗，能夠?qū)⑽矚庵械募?xì)硅粉完全淋洗下來，避免了細(xì)硅粉隨尾氣帶入后續(xù)壓縮裝置和冷卻系統(tǒng)，對壓縮裝置和冷卻系統(tǒng)造成不利影響，提高了壓縮裝置和冷卻系統(tǒng)的使用壽命，氯硅烷冷凝液在淋洗下來尾氣中細(xì)硅粉的同時(shí)，還能夠吸收尾氣中的氯化氫氣體，實(shí)現(xiàn)吸收氯化氫的作用，而且，進(jìn)入淋洗裝置的氯硅烷為低溫氯硅烷，在對尾氣進(jìn)行淋洗后，離開淋洗裝置的氯硅烷經(jīng)過與尾氣的淋洗接觸實(shí)現(xiàn)了換熱，降低了尾氣溫度，氯硅烷自身溫度提升，充分回收了氯硅烷的冷量，本發(fā)明實(shí)施例中增設(shè)的淋洗裝置實(shí)現(xiàn)了除塵、吸收和冷量回收的多重作用；2、本發(fā)明實(shí)施例的回收裝置，在淋洗裝置后增設(shè)**壓縮裝置，使淋洗后的尾氣進(jìn)行壓縮加壓處理，提升了尾氣的壓力，使吸收塔在高壓下運(yùn)行，完成吸收，可以減少吸收劑的用量，降低對冷媒的需求，從而實(shí)現(xiàn)節(jié)能的目的，采用高壓吸收，可以節(jié)能20％以上；3、本發(fā)明實(shí)施例的回收裝置能夠?qū)崿F(xiàn)對冷量的充分回收，顯著降低了投資運(yùn)行成本，分離回收后的氫氣品質(zhì)高，能夠滿足后續(xù)多晶硅生產(chǎn)的要求。
根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)方面實(shí)施例的多晶硅生產(chǎn)中還原尾氣的回收裝置，其中，所述**冷卻系統(tǒng)包括依次連接的空冷器、水冷卻器、氣氣換熱器和還原尾氣冷凍水冷卻器；和/或，所述第二冷卻系統(tǒng)包括依次連接的一級雙效換熱器、壓縮后尾氣冷凍水冷器、二級雙效換熱器、壓縮后尾氣冷卻器、三級雙效換熱器和壓縮后尾氣深冷器；和/或，所述貧富液換熱系統(tǒng)包括依次連接的貧液冷凍水冷卻器、貧液冷卻器和貧液深冷器；和/或，所述解吸塔上部設(shè)置中冷器；和/或，所述氫氣吸附裝置包括依次連接的**吸附塔、第二吸附塔和第三吸附塔；和/或，所述氫氣吸附裝置為內(nèi)部設(shè)置氣體分布器的空筒結(jié)構(gòu)。
附圖說明
圖1是本發(fā)明實(shí)施例的多晶硅生產(chǎn)中還原尾氣的回收裝置。
具體實(shí)施方式
下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，旨在用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對本發(fā)明的限制。
根據(jù)本發(fā)明**個(gè)方面實(shí)施例的一種多晶硅生產(chǎn)中還原尾氣的回收方法，其包括如下步驟：
a、將還原尾氣送入冷卻系統(tǒng)，分離得到尾氣和氯硅烷冷凝液；
b、將所述步驟a得到的尾氣和氯硅烷冷凝液送入淋洗裝置，使氯硅烷冷凝液對尾氣進(jìn)行淋洗；
c、將所述步驟b經(jīng)淋洗處理后的尾氣依次進(jìn)行壓縮和冷卻，得到高壓尾氣；
d、將所述步驟c得到的高壓尾氣送入吸收塔，采用氯硅烷為吸收液，吸收尾氣中的氯化氫，所述吸收塔底得到富含氯化氫的氯硅烷富液，塔頂?shù)玫礁缓瑲錃獾奈矚猓?/p>
e、將所述步驟d得到的富含氯化氫的氯硅烷富液送入解吸塔，所述解吸塔頂?shù)玫铰然瘹錃怏w，塔底得到氯硅烷貧液，將所述氯硅烷貧液與所述步驟d塔底的氯硅烷富液進(jìn)行熱交換后送入所述步驟d吸收塔中用作吸收液；
f、將所述步驟d得到的富含氫氣的尾氣送入氫氣吸附裝置，得到氫氣。
根據(jù)本發(fā)明**方面實(shí)施例的具有的獨(dú)立權(quán)利要求帶來的優(yōu)點(diǎn)和技術(shù)效果，1、本發(fā)明實(shí)施例的回收方法中，在將還原尾氣進(jìn)行冷卻后增加了淋洗步驟，用冷卻分離得到的氯硅烷冷凝液對尾氣進(jìn)行淋洗，能夠?qū)⑽矚庵械募?xì)硅粉完全淋洗下來，避免了細(xì)硅粉隨尾氣帶入后續(xù)壓縮裝置和冷卻系統(tǒng)，對壓縮裝置和冷卻系統(tǒng)造成不利影響，提高了壓縮裝置和冷卻系統(tǒng)的使用壽命，氯硅烷冷凝液在淋洗下來尾氣中細(xì)硅粉的同時(shí)，還能夠吸收尾氣中的氯化氫氣體，實(shí)現(xiàn)吸收氯化氫的作用，而且，進(jìn)入淋洗裝置的氯硅烷為低溫氯硅烷，在對尾氣進(jìn)行淋洗后，離開淋洗裝置的氯硅烷經(jīng)過與尾氣的淋洗接觸實(shí)現(xiàn)了換熱，降低了尾氣溫度，氯硅烷自身溫度提升，充分回收了氯硅烷的冷量，本發(fā)明實(shí)施例中增設(shè)的淋洗裝置實(shí)現(xiàn)了除塵、吸收和冷量回收的多重作用；2、本發(fā)明實(shí)施例方法中，對淋洗后的尾氣進(jìn)行了壓縮加壓處理，提升了尾氣的壓力，使吸收塔在高壓下運(yùn)行，完成吸收，可以減少吸收劑的用量，降低對冷媒的需求，從而實(shí)現(xiàn)節(jié)能的目的，采用高壓吸收，可以節(jié)能20％以上；3、本發(fā)明實(shí)施例的方法能夠?qū)淞繉?shí)現(xiàn)充分回收，顯著降低了投資運(yùn)行成本，分離回收后的氫氣品質(zhì)高，能夠滿足后續(xù)多晶硅生產(chǎn)的要求。
根據(jù)本發(fā)明**個(gè)方面實(shí)施例的多晶硅生產(chǎn)中還原尾氣的回收方法，其中，所述步驟b中的淋洗裝置為鼓泡塔，和/或，所述步驟b中，將淋洗裝置中淋洗尾氣后的氯硅烷冷凝液送入所述步驟e解吸塔中回收氯化氫氣體。本發(fā)明實(shí)施例中，淋洗裝置優(yōu)選為鼓泡塔，還原尾氣通過鼓泡起到了除塵的作用，能夠有效去除還原尾氣中的細(xì)硅粉，鼓泡塔可以采用現(xiàn)有的鼓泡塔進(jìn)行優(yōu)化，在現(xiàn)有鼓泡塔的基礎(chǔ)上根據(jù)處理氣量增設(shè)5-10層塔板，淋洗尾氣后的氯硅烷冷凝液離開淋洗裝置，進(jìn)入解吸塔，進(jìn)一步回收氯硅烷冷凝液中的氯化氫氣體。
根據(jù)本發(fā)明**個(gè)方面實(shí)施例的多晶硅生產(chǎn)中還原尾氣的回收方法，其中，所述步驟c中，將所述尾氣壓縮至壓力為1.1-1.5mpa(表)。本發(fā)明實(shí)施例中，對經(jīng)過淋洗處理的尾氣進(jìn)行壓縮加壓，優(yōu)選使尾氣壓力達(dá)到1.1-1.5mpa(表)，使吸收塔在高壓下運(yùn)行，可以減少吸收劑的用量，降低對冷媒的需求，從而實(shí)現(xiàn)節(jié)能的目的，采用加壓吸收也有利于氯硅烷的分離。
根據(jù)本發(fā)明**個(gè)方面實(shí)施例的多晶硅生產(chǎn)中還原尾氣的回收方法，其中，所述步驟c中，所述壓縮后的尾氣依次經(jīng)過一級雙效換熱器、壓縮后尾氣冷凍水冷器、二級雙效換熱器、壓縮后尾氣冷卻器、三級雙效換熱器、壓縮后尾氣深冷器后進(jìn)入所述步驟d中的吸收塔，其中，所述壓縮后尾氣冷凍水冷器中采用7℃水，所述壓縮后尾氣冷卻器中采用-30℃的r507，所述壓縮后尾氣深冷器中采用-55℃的r507；所述步驟d中塔頂?shù)玫降母缓瑲錃獾奈矚猓来谓?jīng)過所述三級雙效換熱器、所述二級雙效換熱器、所述一級雙效換熱器與所述步驟c壓縮后的尾氣進(jìn)行換熱，之后進(jìn)入所述步驟f中的氫氣吸附裝置；所述步驟c中，將尾氣冷卻后產(chǎn)生的冷凝液與所述步驟a中得到氯硅烷冷凝液混合后，送入所述步驟b的淋洗裝置中。本發(fā)明實(shí)施例中，對壓縮后的尾氣在進(jìn)入吸收塔之前采用了多種冷源進(jìn)行梯級換熱和雙效換熱，能夠進(jìn)一步分離出壓縮后尾氣中的大部分氯硅烷，這部分低溫氯硅烷冷凝液與步驟a中還原尾氣冷卻后分離得到的氯硅烷凝液混合，進(jìn)入淋洗裝置對尾氣進(jìn)行淋洗，本發(fā)明實(shí)施例中通過設(shè)置多個(gè)雙效換熱器能夠充分回收離開吸收塔的富含氫氣的低溫尾氣的冷量。
根據(jù)本發(fā)明**個(gè)方面實(shí)施例的多晶硅生產(chǎn)中還原尾氣的回收方法，其中，所述步驟e中，所述解吸塔頂采出的氯化氫為氣體。與現(xiàn)有技術(shù)采出液態(tài)氯化氫不同，本發(fā)明實(shí)施例中，在解吸塔分離氯硅烷和氯化氫后，在塔頂采出的是氣態(tài)氯化氫，不但節(jié)省了現(xiàn)有技術(shù)在采出液態(tài)氯化氫之后還需要的汽化裝置，由于塔頂采出氣態(tài)氯化氫，不僅降低了解吸塔塔頂冷凝器的冷量消耗，還可以將氯硅烷富液中的氯化氫充分分離出來，大大降低了進(jìn)入吸收塔貧液中氯化氫的含量，有效地降低了貧液的循環(huán)量，降低了對冷源的需求，從而降低了裝置的運(yùn)行成本。由于解吸塔需要處理的氯化硅富液量較大，優(yōu)選地，所述解吸塔上部設(shè)置中冷器，采用7℃水為冷媒，以降低解吸塔塔頂冷凝器的負(fù)荷，能夠達(dá)到進(jìn)一步節(jié)能的效果。
根據(jù)本發(fā)明**個(gè)方面實(shí)施例的多晶硅生產(chǎn)中還原尾氣的回收方法，其中，所述步驟f中氫氣吸附裝置中包括**吸附塔、第二吸附塔和第三吸附塔，所述**吸附塔、第二吸附塔和第三吸附塔均為內(nèi)部設(shè)置氣體分布器的空筒結(jié)構(gòu)；優(yōu)選地，所述吸附裝置中采用的吸附劑為包括分子篩和活性炭的組合吸附劑。本發(fā)明實(shí)施例中，采用包括分子篩和活性炭的組合吸附劑，同現(xiàn)有技術(shù)的單一吸附劑活性炭相比，能夠有效提升吸附裝置的吸附能力，雜質(zhì)去除率高，本發(fā)明的吸附塔為內(nèi)部設(shè)置氣體分布器的空筒結(jié)構(gòu)，類似儲罐，空筒結(jié)構(gòu)的內(nèi)部無盤管，外部無夾套管，結(jié)構(gòu)簡單，不凝氣流量小、操作簡單、能耗低、經(jīng)濟(jì)效益好，而傳統(tǒng)的吸附器基本采用的是帶有換熱結(jié)構(gòu)的吸附器，操作工序多且結(jié)構(gòu)復(fù)雜，傳熱效果較差，活性炭會由于升溫或者降溫不到位而引起再生不徹底，影響活性炭吸附效果和凈化純度，且冷熱交替頻繁，容易導(dǎo)致設(shè)備變形損壞等。
根據(jù)本發(fā)明**個(gè)方面實(shí)施例的多晶硅生產(chǎn)中還原尾氣的回收方法，其中，所述步驟f中可以設(shè)置多組氫氣吸附裝置，每組吸附裝置中均包括**吸附塔、第二吸附塔和第三吸附塔；所述**吸附塔中的吸附劑處于具備吸附能力的狀態(tài)，所述第二吸附塔中的吸附劑處于需要再生的狀態(tài)，所述第三吸附塔中的吸附劑處于需要脫附的狀態(tài)，所述富含氫氣的尾氣進(jìn)入所述**吸附塔進(jìn)行吸附，得到純化后的氫氣，將部分純化后的氫氣依次送入所述第二吸附塔和所述第三吸附塔，之后進(jìn)行壓縮、冷卻、除硼和除磷處理后，與所述**吸附塔得到的純化后的氫氣混合，得到氫氣產(chǎn)品。本發(fā)明實(shí)施例中，吸附裝置中設(shè)置吸附、再生、脫附三種過程的吸附塔，來自吸收塔的富含氫氣的尾氣，通入處于高壓低溫吸附狀態(tài)的**吸附塔進(jìn)行吸附，通過活性炭和分子篩組合吸附劑吸附雜質(zhì)進(jìn)而純化氫氣，得到高純氫氣，從高純氫氣產(chǎn)品中引出部分氫氣通入處于再生狀態(tài)的第二吸附塔，利用低溫氫氣自身所攜帶的冷量給第二吸附塔降溫，第三吸附塔處于脫附狀態(tài)，將第二吸附塔出來的氫氣通過加熱系統(tǒng)加熱到高溫后，送入第三吸附塔進(jìn)行加熱脫附，將從第三吸附塔出來的氫氣**行水冷卻器降至常溫，再進(jìn)入壓縮系統(tǒng)和冷卻系統(tǒng)，經(jīng)過冷卻后的氫氣進(jìn)一步進(jìn)行除硼和除磷處理，將其中富集的硼、磷化合物分離出來。經(jīng)過除硼和除磷后的高純氫氣與**吸附塔出來的高純氫氣形成*終的高純氫氣產(chǎn)品。
如圖1所示，本發(fā)明第二個(gè)方面的實(shí)施例提供了一種多晶硅生產(chǎn)中還原尾氣的回收裝置100，其包括**冷卻系統(tǒng)1、淋洗裝置2、**壓縮裝置3、第二冷卻系統(tǒng)4、吸收塔5、解吸塔6、貧富液換熱系統(tǒng)7和氫氣吸附裝置，其中，**冷卻系統(tǒng)1的氣體出口與淋洗裝置2的氣體入口連接，**冷卻系統(tǒng)1的冷凝液出口與淋洗裝置2的液體入口連接；淋洗裝置2的氣體出口與**壓縮裝置3的氣體進(jìn)口連接，淋洗裝置2的液體出口與解吸塔6的液體進(jìn)口連接；第二冷卻系統(tǒng)4的氣體進(jìn)口與**壓縮裝置3的氣體出口連接，第二冷卻系統(tǒng)4的氣體出口與吸收塔5的氣體進(jìn)口連接；吸收塔5的氣體出口與氫氣吸附裝置的氣體進(jìn)口連接，吸收塔5的液體進(jìn)口與貧富液換熱系統(tǒng)7的貧液出口連接，吸收塔5的液體出口與貧富液換熱系統(tǒng)7的富液進(jìn)口連接；貧富液換熱系統(tǒng)7的富液出口與解吸塔6的液體進(jìn)口連接，貧富液換熱系統(tǒng)7的貧液進(jìn)口與解吸塔6的液體出口連接。
根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)方面實(shí)施例的具有的獨(dú)立權(quán)利要求帶來的優(yōu)點(diǎn)和技術(shù)效果，1、本發(fā)明實(shí)施例的回收裝置，在**冷卻系統(tǒng)后增設(shè)了淋洗裝置，用冷卻分離得到氯硅烷冷凝液對尾氣進(jìn)行淋洗，能夠?qū)⑽矚庵械募?xì)硅粉完全淋洗下來，避免了細(xì)硅粉隨尾氣帶入后續(xù)壓縮裝置和冷卻系統(tǒng)，對壓縮裝置和冷卻系統(tǒng)造成不利影響，提高了壓縮裝置和冷卻系統(tǒng)的使用壽命，氯硅烷冷凝液在淋洗下來尾氣中細(xì)硅粉的同時(shí)，還能夠吸收尾氣中的氯化氫氣體，實(shí)現(xiàn)吸收氯化氫的作用，而且，進(jìn)入淋洗裝置的氯硅烷為低溫氯硅烷，在對尾氣進(jìn)行淋洗后，離開淋洗裝置的氯硅烷經(jīng)過與尾氣的淋洗接觸實(shí)現(xiàn)了換熱，降低了尾氣溫度，氯硅烷自身溫度提升，充分回收了氯硅烷的冷量，本發(fā)明實(shí)施例中增設(shè)的淋洗裝置實(shí)現(xiàn)了除塵、吸收和冷量回收的多重作用；2、本發(fā)明實(shí)施例的回收裝置，在淋洗裝置后增設(shè)**壓縮裝置，使淋洗后的尾氣進(jìn)行壓縮加壓處理，提升了尾氣的壓力，使吸收塔在高壓下運(yùn)行，完成吸收，可以減少吸收劑的用量，降低對冷媒的需求，從而實(shí)現(xiàn)節(jié)能的目的，采用高壓吸收，可以節(jié)能20％以上；3、本發(fā)明實(shí)施例的回收裝置能夠?qū)崿F(xiàn)對冷量的充分回收，顯著降低了投資運(yùn)行成本，分離回收后的氫氣品質(zhì)高，能夠滿足后續(xù)多晶硅生產(chǎn)的要求。
根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)方面實(shí)施例的多晶硅生產(chǎn)中還原尾氣的回收裝置，其中，氫氣吸附裝置包括依次連接的**吸附塔8、第二吸附塔9和第三吸附塔11，優(yōu)選地，**吸附塔8為內(nèi)部設(shè)置氣體分布器的空筒結(jié)構(gòu)，第二吸附塔9和第三吸附塔11與**吸附塔8結(jié)構(gòu)相同。進(jìn)一步優(yōu)選地，第二吸附塔9和第三吸附塔11之間設(shè)置加熱裝置10，第三吸附塔11氣體出口依次連接第二壓縮裝置12、第三冷卻系統(tǒng)13和除硼磷裝置14。本發(fā)明實(shí)施例中，**吸附塔8中的吸附劑處于具備吸附能力的狀態(tài)，第二吸附塔9中的吸附劑處于需要再生的狀態(tài)，第三吸附塔11中的吸附劑處于需要脫附的狀態(tài)。吸附裝置中設(shè)置吸附、再生、脫附三種過程的吸附塔，來自吸收塔的富含氫氣的尾氣，通入處于高壓低溫吸附狀態(tài)的**吸附塔進(jìn)行吸附，通過活性炭和分子篩組合吸附劑吸附雜質(zhì)進(jìn)而純化氫氣，得到高純氫氣，從高純氫氣產(chǎn)品中引出部分氫氣通入處于再生狀態(tài)的第二吸附塔，利用低溫氫氣自身所攜帶的冷量給第二吸附塔降溫，以使第二吸附塔降溫再生，達(dá)到再次吸附的條件，第三吸附塔處于脫附狀態(tài)，將第二吸附塔出來的氫氣通過加熱系統(tǒng)加熱到高溫后，送入第三吸附塔進(jìn)行加熱脫附，將從第三吸附塔出來的氫氣**行水冷卻器降至常溫，再送入第二壓縮裝置和第三冷卻系統(tǒng)中，經(jīng)過冷卻后的氫氣進(jìn)一步進(jìn)行除硼和除磷處理，將其中富集的硼、磷化合物分離出來。經(jīng)過除硼和除磷后的高純氫氣與**吸附塔出來的高純氫氣形成*終的高純氫氣產(chǎn)品。
本發(fā)明實(shí)施例中的氫氣吸附裝置，包括三個(gè)吸附塔，每個(gè)吸附塔自身進(jìn)行著吸附-脫附-再生三個(gè)模式，**行吸附過程，即作為**吸附塔，吸附完畢后轉(zhuǎn)換成脫附狀態(tài)，即作為第三吸附塔，進(jìn)行升溫脫附處理，脫附完畢后，轉(zhuǎn)換成再生降溫狀態(tài)，即作為第二吸附塔，進(jìn)行降溫再生，以達(dá)到滿足后續(xù)吸附的狀態(tài)，再生降溫結(jié)束后，再轉(zhuǎn)換成吸附狀態(tài)，循環(huán)進(jìn)行。根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)方面實(shí)施例的多晶硅生產(chǎn)中還原尾氣的回收裝置，其中，淋洗裝置2為鼓泡塔。本發(fā)明實(shí)施例中，淋洗裝置優(yōu)選為鼓泡塔，還原尾氣通過鼓泡起到了除塵的作用，能夠有效去除還原尾氣中的細(xì)硅粉，鼓泡塔可以采用現(xiàn)有的鼓泡塔進(jìn)行優(yōu)化，在現(xiàn)有鼓泡塔的基礎(chǔ)上根據(jù)處理氣量增設(shè)5-10層塔板，易于實(shí)施。
根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)方面實(shí)施例的多晶硅生產(chǎn)中還原尾氣的回收裝置，其中，優(yōu)選地，**冷卻系統(tǒng)1包括依次連接的空冷器、水冷卻器、氣氣換熱器和還原尾氣冷凍水冷卻器(圖中未示出)；第二冷卻系統(tǒng)4包括依次連接的一級雙效換熱器、壓縮后尾氣冷凍水冷器、二級雙效換熱器、壓縮后尾氣冷卻器、三級雙效換熱器和壓縮后尾氣深冷器(圖中未示出)；貧富液換熱系統(tǒng)7包括依次連接的貧液冷凍水冷卻器、貧液冷卻器和貧液深冷器(圖中未示出)。本發(fā)明實(shí)施例中，各冷卻系統(tǒng)通過設(shè)置多種類、逐級遞進(jìn)的冷源，對冷量進(jìn)行充分回收，大大減少了投資運(yùn)行成本。
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例詳細(xì)描述本發(fā)明。
實(shí)施例1多晶硅生產(chǎn)中還原尾氣的回收裝置
如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例的多晶硅生產(chǎn)中還原尾氣的回收裝置100包括**冷卻系統(tǒng)1、淋洗裝置2、**壓縮裝置3、第二冷卻系統(tǒng)4、吸收塔5、解吸塔6、貧富液換熱系統(tǒng)7和氫氣吸附裝置，氫氣吸附裝置包括依次連接的**吸附塔8、第二吸附塔9和第三吸附塔11。其中，**冷卻系統(tǒng)1的氣體出口與淋洗裝置2的氣體入口連接，**冷卻系統(tǒng)1的冷凝液出口與淋洗裝置2的液體入口連接；淋洗裝置2的氣體出口與**壓縮裝置3的氣體進(jìn)口連接，淋洗裝置2的液體出口與解吸塔6的液體進(jìn)口連接；第二冷卻系統(tǒng)4的氣體進(jìn)口與**壓縮裝置3的氣體出口連接，第二冷卻系統(tǒng)4的氣體出口與吸收塔5的氣體進(jìn)口連接；吸收塔5的氣體出口與**吸附塔8的氣體進(jìn)口連接，吸收塔5的液體進(jìn)口與貧富液換熱系統(tǒng)7的貧液出口連接，吸收塔5的液體出口與貧富液換熱系統(tǒng)7的富液進(jìn)口連接；貧富液換熱系統(tǒng)7的富液出口與解吸塔6的液體進(jìn)口連接，貧富液換熱系統(tǒng)7的貧液進(jìn)口與解吸塔6的液體出口連接。
優(yōu)選地，淋洗裝置2為鼓泡塔。**吸附塔8為內(nèi)部設(shè)置氣體分布器的空筒結(jié)構(gòu)，第二吸附塔9和第三吸附塔11與**吸附塔8結(jié)構(gòu)相同。進(jìn)一步優(yōu)選地，第二吸附塔9和第三吸附塔11之間設(shè)置加熱裝置10，第三吸附塔11氣體出口依次連接第二壓縮裝置12、脫附后冷卻系統(tǒng)13和除硼磷裝置14。
優(yōu)選地，**冷卻系統(tǒng)1包括依次連接的空冷器、水冷卻器、氣氣換熱器和還原尾氣冷凍水冷卻器(圖中未示出)；第二冷卻系統(tǒng)4包括依次連接的一級雙效換熱器、壓縮后尾氣冷凍水冷器、二級雙效換熱器、壓縮后尾氣冷卻器、三級雙效換熱器和壓縮后尾氣深冷器(圖中未示出)；貧富液換熱系統(tǒng)7包括依次連接的貧液冷凍水冷卻器、貧液冷卻器和貧液深冷器(圖中未示出)。
實(shí)施例2多晶硅生產(chǎn)中還原尾氣的回收方法
本實(shí)施例中采用實(shí)施例1的回收裝置對多晶硅生產(chǎn)中還原尾氣進(jìn)行回收處理。
如圖1所示，將來自還原車間的還原尾氣送入**冷卻系統(tǒng)1，**冷卻系統(tǒng)1包括空冷器、水冷卻器、氣氣換熱器和還原尾氣冷凍水冷卻器(圖中未示出)，使還原尾氣溫度降低至12～25℃，優(yōu)選為13℃，可以有效降低運(yùn)行成本，還原尾氣經(jīng)過**冷卻系統(tǒng)1后，分離得到尾氣和氯硅烷冷凝液。
將分離得到的尾氣和氯硅烷冷凝液分別送入淋洗裝置2，優(yōu)選地，對氯硅烷冷凝液**行冷卻，優(yōu)選采用-35℃的冷媒，之后將冷卻后的氯硅烷冷凝液送入淋洗裝置2，采用氯硅烷冷凝液在鼓泡塔中對尾氣進(jìn)行淋洗除雜處理，為避免后續(xù)進(jìn)入壓縮過程中出現(xiàn)凝液，一般控制淋洗裝置2氣體出口的氣體溫度不高于10℃，優(yōu)選為-5℃。淋洗裝置工作壓力為0.45～0.55mpa(表)。
將經(jīng)過淋洗裝置2處理后的尾氣送入**壓縮裝置3進(jìn)行加壓處理，優(yōu)選地，將尾氣壓力提升至1.1-1.5mpa(表)，高壓有利于降低整體設(shè)備投資和整體運(yùn)行成本，且加壓有利于氯硅烷的分離。綜合整體能耗，進(jìn)一步優(yōu)選地，**壓縮裝置3的進(jìn)口壓力(表)為0.55mpa，出口壓力(表)為1.4mpa，進(jìn)口尾氣溫度為5℃，出口尾氣溫度為42℃。尾氣離開**壓縮裝置3后進(jìn)入第二冷卻系統(tǒng)4進(jìn)行冷卻處理，冷卻后尾氣溫度為15℃。
離開第二冷卻系統(tǒng)4的尾氣進(jìn)入吸收塔5，吸收塔5中采用氯硅烷為吸收液，吸收尾氣中的氯化氫氣體，吸收塔5的塔底得到富含氯化氫的氯硅烷富液，塔頂?shù)玫礁缓瑲錃獾奈矚?，吸收?中工作壓力為1.4mpa(表)，工作溫度為-30～-50℃，優(yōu)選地，工作溫度為-40℃，氯化氫吸收率達(dá)99％，優(yōu)選地，塔底氯硅烷富液溫度為-35℃。
將富含氯化氫的氯硅烷富液通過貧富液換熱系統(tǒng)7后送入解吸塔6中，經(jīng)過解吸塔6處理后，在塔頂?shù)玫铰然瘹錃怏w，塔底得到氯硅烷貧液。優(yōu)選地，解吸塔6的工作壓力為5～8mpa(表)，進(jìn)一步優(yōu)選為6mpa(表)；塔系統(tǒng)溫度為-45～130℃。塔底可以采用蒸汽或者高溫導(dǎo)熱油進(jìn)行加熱，優(yōu)選地，氯硅烷貧液溫度為100～120℃，進(jìn)一步優(yōu)選地，塔釜溫度為113℃，塔頂采出質(zhì)量含量為99％以上的氯化氫氣體。將氯硅烷貧液送入貧富液換熱系統(tǒng)7中，與氯硅烷富液進(jìn)行熱交換后送入吸收塔5中用作吸收液。優(yōu)選地，貧富液換熱系統(tǒng)7使用三級冷源，分別為冷凍水冷卻器(采用7℃冷凍水)，貧液冷卻器(采用-30℃冷媒)、貧液深冷器(采用-55℃冷媒)，*低冷卻溫度可以達(dá)到-50℃。低溫的氯硅烷富液通過3～4級雙效換熱器，與高溫的氯硅烷貧液逐級、充分實(shí)現(xiàn)換熱，回收熱能。
離開吸收塔5的富含氫氣的尾氣含有微量雜質(zhì)，如四氯化硅、三氯氫硅、二氯二氫硅、氯化氫、硼化物、磷化物等，將富含氫氣的尾氣送入氫氣吸附裝置進(jìn)行除雜處理。氫氣吸附裝置可以根據(jù)處理氣量設(shè)置多組，每組吸附裝置中包括**吸附塔8、第二吸附塔9和第三吸附塔11三種吸附塔，能分別進(jìn)行吸附、再生和脫附三種過程操作。
優(yōu)選地，將離開吸收塔5的富含氫氣的尾氣送入第二冷卻系統(tǒng)4中與離開**壓縮裝置3的尾氣進(jìn)行換熱，優(yōu)選地，換熱后富含氫氣的尾氣溫度為-10℃、壓力為1.4mpa(表)，將富含氫氣的尾氣送入處于高壓低溫吸附狀態(tài)的**吸附塔8中進(jìn)行吸附，吸附雜質(zhì)進(jìn)而純化氫氣，吸附劑為包括活性炭和分子篩的組合吸附劑，經(jīng)過吸附后可以得到高壓低溫高純氫氣產(chǎn)品，氫氣溫度約為0℃、壓力約為1.3mpa(表)。
從離開**吸附塔8的高純氫氣產(chǎn)品中引出部分氫氣，優(yōu)選為高純氫氣產(chǎn)品總體積的3-5％，送入處于中壓降溫再生狀態(tài)的第二吸附塔9中，利用低溫氫氣自身所攜帶的冷量給第二吸附塔9降溫。從第二吸附塔9出來的中壓中溫高純氫氣的溫度是逐漸降低的，溫度為180～-10℃，壓力為0.4～0.8mpa(表)。降溫剛開始時(shí)由于吸附柱溫度較高會使經(jīng)過第二吸附塔9的氫氣溫度也較高，隨著第二吸附塔9溫度逐漸降低，離開吸附塔9的氫氣溫度也逐漸降低。
第三吸附塔11處于低壓升溫脫附狀態(tài)，將離開第二吸附塔9的氫氣送入加熱系統(tǒng)10加熱，優(yōu)選地，加熱后氫氣溫度為180℃，壓力為0.4～0.8mpa(表)，將加熱后的氫氣送入第三吸附塔11，氫氣利用自身攜帶的熱量對第三吸附塔11進(jìn)行加熱脫附，離開第三吸附塔11氫氣為低壓高溫低純氫氣，氫氣溫度處于一直上升狀態(tài)，溫度為-10～180℃、壓力為0.01～0.05mpa(表)，隨著吸附塔溫度的升高，直到升溫平衡，溫度不再變化為止。
將離開第三吸附塔11的氫氣送入水冷卻器降至常溫，之后送入第二壓縮裝置12，經(jīng)過壓縮后，氫氣壓力達(dá)到離開**吸附塔8的高純氫氣產(chǎn)品的壓力。經(jīng)過加壓后的高壓常溫低純氫氣進(jìn)入第三冷卻系統(tǒng)13。第三冷卻系統(tǒng)13包括雙效換熱器、冷凍水冷卻器和冷媒冷卻器。第三冷卻系統(tǒng)13的溫度可以達(dá)到-40～-60℃，使其中的氯硅烷充分冷凝，經(jīng)過第三冷卻系統(tǒng)13冷卻處理后，離開第三冷卻系統(tǒng)13的氫氣溫度約-10℃。
將離開第三冷卻系統(tǒng)13的氫氣送入除硼磷裝置14，進(jìn)一步將氫氣中富集的硼、磷化合物分離出來，以保證高純氫氣產(chǎn)品硼、磷含量的要求，優(yōu)選地，除硼磷裝置中裝填含氧化鋁的分子篩吸附劑(市場購買，如河南星諾環(huán)保材料有限公司)，吸附劑飽和以后可以每隔一段時(shí)間加熱以將吸附劑中的硼、磷化合物完全脫附出來。經(jīng)過除硼磷裝置14分離硼、磷化合物后的高壓低溫高純氫氣溫度約為0℃，壓力約1.4mpa(表)，與離開**吸附塔8的高壓低溫高純氫氣(0℃、1.4mpa(表))匯合后形成*終的高純氫氣產(chǎn)品，氫氣的純度為99％。
經(jīng)過本實(shí)施例方法的處理，還原尾氣中，氯化氫氣體的回收率為99％以上，氯硅烷的回收率為99％以上，氫氣的回收率為99％以上，氫氣產(chǎn)品純度為99％以上。
對比例1
與實(shí)施例2的方法相同，不同之處在于不設(shè)置**壓縮裝置3，對經(jīng)過淋洗裝置2處理后的尾氣不進(jìn)行壓縮加壓處理，而是直接送入吸收塔5中。
采用對比例1的方法，氯硅烷的回收率為85％，氯化氫氣體的回收率為99％，氫氣的回收率為99％，氫氣產(chǎn)品純度為99％。
實(shí)施例2與對比例1的方法相比，采用加壓處理有利于氯硅烷的冷凝，壓力增大，氣體的沸點(diǎn)升高，冷凝溫度提高，采用較低品位的冷源即可以實(shí)現(xiàn)同等冷凝效果，節(jié)約了冷源，降低了冷耗，整體能耗同對比例1相比下降了20％，并且顯著提升了氯硅烷的回收率，使氯硅烷的回收率達(dá)到99％以上。
此外，術(shù)語“**”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“**”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括至少一個(gè)該特征。在本發(fā)明的描述中，“多個(gè)”的含義是至少兩個(gè)，例如兩個(gè)，三個(gè)等，除非另有明確具體的限定。
在本發(fā)明中，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”等術(shù)語應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或成一體；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接或彼此可通訊；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通或兩個(gè)元件的相互作用關(guān)系，除非另有明確的限定。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。
在本發(fā)明中，除非另有明確的規(guī)定和限定，**特征在第二特征“上”或“下”可以是**和第二特征直接接觸，或**和第二特征通過中間媒介間接接觸。而且，**特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是**特征在第二特征正上方或斜上方，或僅僅表示**特征水平高度高于第二特征。**特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是**特征在第二特征正下方或斜下方，或僅僅表示**特征水平高度小于第二特征。
在本發(fā)明中，術(shù)語“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說明書中，對上述術(shù)語的示意性表述不必須針對的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。此外，在不相互矛盾的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以將本說明書中描述的不同實(shí)施例或示例以及不同實(shí)施例或示例的特征進(jìn)行結(jié)合和組合。
盡管上面已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，可以理解的是，上述實(shí)施例是示例性的，不能理解為對本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以對上述實(shí)施例進(jìn)行變化、修改、替換和變型。
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